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② 太阳能充电器的毕业设计论文
太阳能多功能充电器的设计 中文摘要】 多功能充电器利用太阳电池、手摇式发电机可以实现太阳能向电能的转化,再经过升压、稳压、充电电路对电池进行充电。系统整体由MSP430单片机进行控制,当电池充满后系统自动停止充电。本充电器输出电压范围宽,适用于多种型号电池的充电。 【中文关键词】 多功能充电器; 太阳能; 控制电路 有此全文，需要与我索取免费全文，二二七零七四五
③ 谁能给我提供一篇关于 光伏组件的毕业论文啊、谢谢了啊大神们帮帮忙
专业名称：光伏材料加工与应用 专业代码：550110 一、专业培养目标 本专业培养具备太阳能光伏材料、太阳电池所需的材料基础知识和相关测试技术基础。掌握光伏材料性能、结构与制备处理技术及运用能力，掌握太阳电池的制造工艺，了解相关半导体器件的设计与制造工艺知识，了解太阳能光伏系统发电应用技术。侧重培养在光伏材料、光伏电池行业等相关领域从事生产运行、技术管理、产品检测与质量控制等方面高级应用型专门人才。 二、专业就业方向 本专业毕业生可从事太阳能光伏材料、半导体物理器件，硅材料制备与加工，太阳能电池生产和质量检测，光伏发电系统的设计及相关光伏工程应用等光伏产业方面的工作。 三、专业培养要求 （一）本专业毕业生应获得以下几方面的知识： 1、较为系统的掌握光伏材料加工与应用等方面基础理论和基本知识，主要包括材料科学基础，半导体物理与器件，太阳能光伏学，电工与电子技术，材料分析测试技术，材料表面科学，硅材料科学与技术，薄膜物理与技术，太阳能电池原理与工艺等基础知识。 2、具有本专业领域内某个专业方向所必要的专业知识，包括光伏材料，太阳能电池，以及光伏发电技术，了解其科学前沿及发展趋势。 （二）本专业毕业生应具有以下几个方面的能力： 1、具有本专业必需的制图、计算、测试和基本加工工艺操作等基本技能及较强的计算机、外语应用能力； 2、具有光伏材料制备工艺、材料产品分析检测、材料产品质量控制等基本技术；掌握太阳能电池制造的基本工艺，太阳能电池性能的测试，太阳能电池封装以及光伏系统的发电技术等专业知识和基本技能； 3、具有光伏材料及相关领域从事设计、生产、管理的基本能力。了解光伏材料行业发展的现状、动态和前沿。 4、具有较强的自学能力、团队协作、沟通、筹划能力。 （三）本专业毕业生应具有以下几个方面的素质： 1、合格的思想政治素质。具有良好的思想品德、良好的职业素养、诚实肯干、严谨细致； 2、较好的科学文化素质。具有严谨的作风，良好的修养，科学的思维方式； 3、良好的身体心理素质。具有强健的体魄和健康的心理。 四、专业主干课程 材料科学基础、太阳能电池材料、薄膜物理与技术、硅材料科学与技术、材料科学研究方法、材料表面科学、太阳能电池原理与工艺、半导体物理与器件、晶圆制造技术、太阳能光伏发电技术及应用等。 五、主要实践性教学环节 入学教育与军训、金工实习、机械设计课程设计、光伏材料性能的测试、太阳能电池封装实习、太阳能光伏系统设计、社会实践、汽车驾驶实训、毕业实习、毕业设计（论文）。 六、职业资格证 计算机等级证、英语等级证、太阳能电池封装操作证、汽车驾驶证等。 七、学制 全日制三年。
④ 谁能给我篇太阳能电池板的毕业论文
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由于技术进入门槛高，投资收益高、持续时间长，电池新材料领域成为企业尤其是上市公司扩大利润来源、提升业绩的重点产品之一。电池正极、负极材料、电解液市场已相对成熟，而锂电池隔膜的国产化过程蕴含着较大的市场机会；太阳能电池市场发展迅速，技术不断进步，有机材料将是太阳能电池材料的首选，市场潜力巨大；燃料电池材料市场资金投入不足，材料制备和技术工艺有待突破。
全球市场现状
(1)电池市场增长迅速，带动电池新材料市场成长
随着全球经济发展对能源材料需求增加，以及手机、笔记本电脑、数码相机、摄像机、汽车等产品对新型、高效、环保能源材料的强劲需求，全球锂电池、太阳能电池、燃料电池发展迅速，从而带动了相关材料产业的发展，电池新材料市场稳步成长。从市场规模看，2000年全球电池新材料市场规模为13.8亿美元，2004年达到24.4亿美元，2000～2004年复合增长率为15.3％。
(2)锂电池材料市场规模受价格变动略有波动，市场份额基本稳定
在锂电池市场增长的拉动下，锂电池材料整体市场呈上升趋势。2000年销售额为4.7亿美元，但由于价格的波动，2001年降为3.9亿美元，之后有所上升，2004年达到5.8亿美元，2000～2004年复合增长率为5.4％。在锂电池材料细分市场，价格的下降造成锂电池部分材料销售额的下降。从锂电池材料细分市场份额看，正极材料、负极材料、电解液、隔离膜用材料所占市场份额基本稳定。
(3)太阳能电池市场规模上升，对硅材料需求增长
在太阳能电池中，硅太阳能电池转换效率最高，技术也最为成熟，在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位。随着全球太阳能电池的广泛应用，太阳能电池硅材料需求增加。在太阳能电池重要原材料硅片市场，全球市场继续保持上升趋势，2004年达到16.4亿美元，2000～2004年复合增长率为18.6％。
(4)燃料电池发展潜力受关注，关键材料和工艺有待突破
燃料电池因具有能量密度高、无须充电、长时间使用、低噪声、低污染等特点，目前受到极大的重视。由美国发起建立的氢能经济国际合作组织（IPHE），经过巴西、加拿大、中国、日本、韩国、英国等国加盟之后，成为协调氢燃料研究及技术开发的国际机制。2003年全球有超过1000家企业及研究机构参与燃料电池材料、组件及系统技术研发。2004年全球燃料电池材料市场规模达到2.2亿美元。
在材料方面，催化剂、导电膜和双极板的供应、材质是影响未来燃料电池市场成长的因素。以质子交换膜材料为例，全球主要燃料电池开发国家均投入相当大的人力和物力研究开发质子交换膜，但大多局限在几种过去已知的质子交换膜材料种类上。由于现阶段这些质子交换膜特性无法完全满足实际应用的要求，目前技术的进展离大规模应用尚有一段距离。
未来产品趋势
(1)锂钴镍氧化物、纳米化碳材、有机电解液混合使用、薄型化隔离膜是未来锂电池材料的发展方向
在锂电池正极材料方面，可供选择的材料有钴酸锂(LiCoO2)、镍酸锂(LiNiO2)、锰酸锂(LiMnO4)及上述复合氧化物等，未来锂钴镍氧化物有可能取代目前锂钴氧化物的正极材料。
目前常用的负极材料是中间相碳微球，具有球状结构、堆积密度大、具有层状分子平行排列结构，是锂电池负极代表性材料，未来可能采用纳米化碳材(Nano-sized Carbon Materia1)。
电解液方面，近年来主要发展趋势是将多种不同性质的有机电解液加以混合使用，例如低黏度的二甲基乙烷(DME)、二甲基碳酸盐(DMC)及二甲基亚砜(DMSO)等。
隔离膜材料一般采用聚乙烯、聚丙烯或其它树脂多孔膜，技术趋势在于薄型化。
(2)硅太阳能电池暂居市场主导，薄膜太阳能电池成为未来市场主流
由于光电能转换效率较其它种类的太阳电池高，硅太阳能电池现在仍然是太阳能市场的主流。非晶硅太阳能电池长期使用时稳定性有问题；CdS/CdTe效率和非晶硅太阳能电池差不多，但有环保问题：另外CIS(Copper Indium Selenide)经济效益不高，短期内实现商品化有困难，化学太阳能电池使用期限及稳定性都有问题。由于薄膜太阳能电池具有低生产成本的特性，且具有适于大面积制造的优势，故长期而言，薄膜太阳能电池可能成为市场主流。
(3)燃料电池触媒材料：多孔结构、高效、高活性、高分散性
燃料电池的电极是燃料发生氧化反应与还原剂发生还原反应的电化学反应场所，其性能的好坏关键在于触媒的性能、电极的材料与电极的制造等。燃料电池触媒材料的多孔结构能提高燃料电池的实际工作电流密度与降低极化作用，增加参与反应的电极表面积。以DMFC触媒为例。现阶段DMFC触媒主要是采用贵金属基触媒，而贵金属基触媒的成本高、催化活性不理想。因此，高效、高活性、高分散性是燃料电池触媒材料的发展方向。
⑤ 求光伏组件/太阳能电池 的伏安特性研究的毕业论文范文 ，，谢谢~~
基于P2N 结的太阳能电池伏安特性的分析与模拟
摘 要 通过分析实际P2N 结与理想模型之间的差别,建立了P2N 结二极管及太阳能电池的数学
模型;利用Matlab 中的系统仿真模块库建立仿真模型,设置参量,求解模型方程并绘制了图形1 对
太阳能电池在一定光照下旁路电阻及串联电阻取不同数值时对其开路电压、短路电流及填充因子
的影响做了模拟,并与实际测得的硅太阳能电池伏安特性进行了比较1 模型分析与实验测量的结
果表明:等效的旁路电阻和串联电阻分别影响电池的开路电压和短路电流1 仿真结果与实验测量
结果一致1
关键词 P2N 结;伏安特性;等效电路模型;太阳能电池
中图分类号 O475 文献标识码 A
0 引言
P2N结是许多微电子和光电子器件的核心部分1
这些半导体器件的电学特性及光电特性由P2N 结
的性质所决定,掌握P2N 结的性质是分析这些器件
特性的基础1 半导体导电是通过两种载流子的漂
移、扩散及产生与复合实现的[1 ]1 由于P2N 结的非
线性特性,其电流电压关系无法通过一个简单的解
析模型来确定1 虽然肖克莱方程给出了理想P2N
结的电流电压关系,但与实际器件的性质差别很大1
在实际器件中,由于表面效应、势垒区载流子的产生
及复合、电阻效应等因素的影响,其电流电压特性只
在很小的范围内接近理想值1 正向电压增大时, I2V
曲线由指数关系转变为线性关系1 反向电压增大
时,在一定范围内也是线性关系,反向电压过大还会
发生P2N 结的击穿1
本文通过一个简单的电路模型模拟了实际的
P2N 结,讨论了各实际参量对伏安特性的影响1 并
针对太阳能电池在一定光照下其实际参量如旁路电
阻和串联电阻对其开路电压、短路电流及填充因子
的影响,利用计算机对其伏安特性进行建模分析,以
获得接近实际器件的特性1
1 P2N结的伏安特性分析及等效电路
理想P2N 结模型满足小注入、突变耗尽层及玻
耳兹曼边界条件,且不考虑耗尽层中载流子的产生
和复合作用[2 ]1 其电流电压关系可由肖克莱方程给
出,即
J = J s exp
qV
k T
- 1 (1)
式中,V 为P2N 结两端的电压, J 为通过P2N 结的
电流密度, J s 为反向饱和电流1 当正向偏压较大
时,括号中的指数项远大于1 ,因而第二项可以忽
略,电流密度与电压呈指数增加关系1 反向偏压时,
当q| V | m k T 时, 指数项趋于0 , 电流不随电压改
变,趋于饱和值J s
1
实验测量发现,肖克莱方程与实际P2N 结的伏
安特性偏离较大,主要表现在两个方面:1) 正向电压
较小时,理论值比实验值小,正向电压较大时,J2V
关系变为线性关系;2) 反向偏压时,反向电流比理论
值大许多,反向电流不饱和,随反向偏压的增大略有
增加1 这说明理想模型不能真实反映实际器件的特
性,需要建立更为完善的P2N 结模型[3 ]1 在实际器
件中,载流子的产生、传输和复合会对P2N 结中的
空间电荷场产生影响[4 ] ,从而导致P2N 结电流电压
特性偏离理想方程1
正向偏压时,注入势垒区的载流子有一部分形
成复合电流,其大小与exp ( qV/ 2 k T) 成正比, 总电
流密度为扩散电流密度与复合电流密度之和1 对于
硅,在较低正向偏压下, 复合电流占主要地位, 因而
总电流大于理想条件下的电流,正向偏压较高时,复
合电流可以忽略
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