1. 氫原子形成氫鍵後化學位移怎麼變
氫原子形成氫鍵的過程實際上是一個去屏蔽的過程，因此位移應該是往低場移動
2. 分子內形成氫鍵，對碳的化學位移有什麼樣的影響
能形成H鍵的多是與O，N，S相連的H與另外極性基團發生締合。 而這些基團與相鄰的C至少有兩個鍵的分割， 所以對C的化學位移影響不大， 最多有幾個ppm的高場位移。 但對發生H鍵的H的化學位移影響很大。
第一， 這個H的峰很明顯， 不像其他活潑H隨濃度而變化， 甚至消失。
第二， 因為H鍵是與另外一個吸電子基團作用， 這個H的化學位移顯著的向低場移動（即ppm增大）。
3. 氫核與碳原子的雜化軌道的s成分對化學位移有較大影響，為什麼
解析：
累積二烯烴
是二烯烴的一類，分子中含有兩個相鄰的雙鍵（一般為碳碳雙鍵）。最簡單的累積二烯烴是丙二烯。相比其他烯烴，累積二烯烴更加活潑，且可能具有手性。
丙二烯，最簡單的累積二烯烴。
此類二烯烴中，C-C-C鍵角為180°，兩個π鍵和四個取代基在空間上處於正交，中心碳原子為sp雜化。類似的正交π鍵出現在烯酮中。
參考資料：累積二烯烴
建議自己下去查查資料
這樣的提問沒有意義
4. 影響氫核化學位移的因素有哪些
電子效應（誘導效應和共軛效應），磁各向異性，氫鍵的影響
5. 分子內氫鍵 對化學位移的影響多大
氫原子與電負性大的原子X以共價鍵結合，若與電負性大、半徑小的原子Y（O F N等）接近，在X與Y之間以氫為媒介，生成X-H…Y形式的一種特殊的分子間或分子內相互作用，稱為氫鍵。[X與Y可以是同一種類分子，如水分子之間的氫鍵；也可以是不同種類分子，如一水合氨分子（NH3·H2O）之間的氫鍵]
6. 影響化學位移的因素有哪些
化學位移：產生共振吸收峰的位移。
在有機化合物中，處在不同結構和位置上的各種專氫核周圍的電子雲密度屬不同，導致共振頻率有差異，即產生共振吸收峰的位移，稱為化學位移。
影響因素包括以下：
1. 電負性
2. 各向異性效應
3. 氫鍵
4. 溶劑效應
5. 范德華效應
拓展資料：
產生原因：
核周圍電子產生的感應磁場對外加磁場的抵消作用稱為屏蔽效應。核周圍的電子屏蔽效應是化學位移產生的主要原因。通常氫核周圍的電子雲密度越大，屏蔽效應也越大，從而需要在更高的磁場強度中才能發生核磁共振和出現吸收峰。
參考資料：
網路 化學位移
7. 影響13c化學位移的因素有哪些
只有13c的化學環境影響位移
8. 高手幫忙啊！！！核磁共振中，氫鍵如何影響化學位移的
哦，這里指的是受到氧的電負性拉電子作用。
不過，這種解釋有的時候是不大准確的，感覺另一種比較靠譜的解釋是：因為氫原子在兩個氧原子之間，使得氫原子的核外電子的進動受到氫鍵的進一步束縛，順磁屏蔽常熟增加，去屏蔽效應增加。
這么理解吧，s層電子不是以屏蔽效應為主么？氫鍵的出現使得它的球形分布更偏了，有了部分p電子的性質，而p電子的去屏蔽效應明顯，就是這樣。
9. 什麼情況下羥基峰的出現化學位移會降低
化學位移是核磁共振中的一種術語，是化學環境所引起的核磁共振信號位置的變化，具體是用數字來進行表達（相對的，通常使用四甲基硅烷作為基準）。如果你是大學生，有空去幫師兄師姐做做實驗你就會很了解，核磁共振是化合物結構解析的常用手段。
影響因素可以表示為
內因：有吸電子基團的向低場移動（因為屏蔽作用減少，弛豫所需的外磁場強度可以不用很高）；共軛效應的向低場移動(如苯環上的H向低場移動)；還有就是各向異構引起的，比如苯環的上方空間（不是苯環上）的H向高產移動，三鍵的鍵方向的向高產移動，雙建上方的H向高產移動。這些有機化學的課本上都有，注意分類，別弄混淆。
外因：溶劑，溫度（低溫的時候有的單峰肯能會列分成雙峰，如DMF的）
10. NMR中影響化學位移的因素有哪些
化學位移是核磁共振中的一種術語，是化學環境所引起的核磁共振信號位置的變化，具體是用數字來進行表達(相對的，通常使用四甲基硅烷作為基準)。如果你是大學生，有空去幫師兄師姐做做實驗你就會很了解，核磁共振是化合物結構解析的常用手段。
影響因素可以表示為
內因:有吸電子基團的向低場移動(因為屏蔽作用減少，弛豫所需的外磁場強度可以不用很高);共軛效應的向低場移動(如苯環上的H向低場移動);還有就是各向異構引起的，比如苯環的上方空間(不是苯環上)的H向高產移動，三鍵的鍵方向的向高產移動，雙建上方的H向高產移動。這些有機化學的課本上都有，注意分類，別弄混淆。
外因:溶劑，溫度(低溫的時候有的單峰肯能會列分成雙峰，如DMF的)