1. 化學位移是因為電子對質子有屏蔽作用產生的，那為什麼
化學位移是因為電子對質子有屏蔽作用產生的
化學位移是由於有機分子中各種質子版受到不同程度的權屏蔽效應,因此在核磁共振譜的不同位置上出現吸收峰.但這種屏蔽效應所造成的差異是非常小的,難以精確的測出其絕對值,因此需要一個參照物（reference
compound）來做對比,常用四甲基硅烷(CH3)4Si（數字下標）（tetramethylsilane,簡寫為TMS）作為標准物質,並人為將其吸收峰出現的位置定為零.
2. XPS中化學位移產生的原因
當原子結合成分子或晶體時，價電子發生轉移或共享，價電子的這種電荷變化引起了內層電子結合能的變化；
分子或晶體中其它原子所形成的勢場對指定原子的內層電子的結合能產生影響；
從原子中電離掉一個電子後，其它電子不能完全保持其原來的狀態和能量。
3. 影響化學位移的因素有哪些
化學位移：產生共振吸收峰的位移。
在有機化合物中，處在不同結構和位置上的各種專氫核周圍的電子雲密度屬不同，導致共振頻率有差異，即產生共振吸收峰的位移，稱為化學位移。
影響因素包括以下：
1. 電負性
2. 各向異性效應
3. 氫鍵
4. 溶劑效應
5. 范德華效應
拓展資料：
產生原因：
核周圍電子產生的感應磁場對外加磁場的抵消作用稱為屏蔽效應。核周圍的電子屏蔽效應是化學位移產生的主要原因。通常氫核周圍的電子雲密度越大，屏蔽效應也越大，從而需要在更高的磁場強度中才能發生核磁共振和出現吸收峰。
參考資料：
網路 化學位移
4. 什麼是化學位移，影響化學位移的因素有哪些.簡述自旋
化學位移是核磁共振中的一種術語，是化學環境所引起的核磁共振信號位置的變化，具體是用數字來進行表達（相對的，通常使用四甲基硅烷作為基準）。如果你是大學生，有空去幫師兄師姐做做實驗你就會很了解，核磁共振是化合物結構解析的常用手段。
影響因素有：
內因：有吸電子基團的向低場移動（因為屏蔽作用減少，弛豫所需的外磁場強度可以不用很高）；共軛效應的向低場移動(如苯環上的H向低場移動)；還有就是各向異構引起的，比如苯環的上方空間（不是苯環上）的H向高產移動，三鍵的鍵方向的向高產移動，雙建上方的H向高產移動。這些有機化學的課本上都有，注意分類，別弄混淆。
外因：溶劑，溫度（低溫的時候有的單峰肯能會列分成雙峰，如DMF的）。
5. 化學位移是因為電子對質子有屏蔽作用產生的，那為什麼屏蔽效應增加時化學位移的數值反而越來越小了
你得看看化抄學位移是怎襲么得出來的。一般左邊是低頻高場，右邊是高頻低場。屏蔽效應增加，說明原子實際受到的磁場強度變小，因此需要更高的磁場才行，於是它就像高場移動了。於是表現出來就是數值越來越小了。
所以，只看數值是不行的，你還是看看數值是怎麼得到的，這個數值跟屏蔽是怎麼聯系起來的。
僅供參考
6. 3. 核磁共振譜中不同質子產生不同化學位移的根本原因是什麼氫譜和碳譜有什麼區別
核磁共振譜中不同質子產生不同化學位移的根本原因是不同質子處於靜磁場中所受的屏蔽效應不同，使得每個原子核所處的化學環境不同而引起Larmor進動頻率不同，化學位移自然不同。氫譜和碳譜中所測的原子核不同，氫譜是D，碳譜是13C。
7. 譜中不同質子產生不同化學位移的根本原因是什麼
有機化合物中各個H核外電子雲也受到磁場作用而感生磁場，核外電子的磁屏蔽作用一般使原子核位置上的磁場有所降低。由於各個H所處的化學環境不同，會導致化學位移的產生。
8. NMR中影響化學位移的因素有哪些
化學位移是核磁共振中的一種術語，是化學環境所引起的核磁共振信號位置的變化，具體是用數字來進行表達(相對的，通常使用四甲基硅烷作為基準)。如果你是大學生，有空去幫師兄師姐做做實驗你就會很了解，核磁共振是化合物結構解析的常用手段。
影響因素可以表示為
內因:有吸電子基團的向低場移動(因為屏蔽作用減少，弛豫所需的外磁場強度可以不用很高);共軛效應的向低場移動(如苯環上的H向低場移動);還有就是各向異構引起的，比如苯環的上方空間(不是苯環上)的H向高產移動，三鍵的鍵方向的向高產移動，雙建上方的H向高產移動。這些有機化學的課本上都有，注意分類，別弄混淆。
外因:溶劑，溫度(低溫的時候有的單峰肯能會列分成雙峰，如DMF的)
9. 什麼是化學位移
原子核在磁場的作用下會發生自旋，當吸收外來電磁輻射時，會發生核自旋能級的躍遷，產生核磁共振現象，有機化合物中，處在不同結構和位置上的各種氫核周圍的電子雲密度不同，導致共振頻率有差異，產生共振吸收峰的位移，稱為化學位移。